出口管制规则升级限制措施

规则

限制领域及主要内容

"20221007规则”针对中国实施先进计算和半导体制造的出口管制新规

一、限制领域

2022年10月7日的新规限制中国购买和制造先进计算芯片、开发和维护超级计算机以及制造先进半导体的能力。

这是最具颠覆性的一轮管制措施，奠定美国商务部后续管制的基本框架。

二、主要内容

（一）在《商业控制清单》（CCL）中新增四项管制物项，分别对应高性能计算芯片（3A090），包含高性能计算芯片的计算机、电子组件或元件（4A090），与开发生产前述计算机、电子组件或元件的专用软件（4D090），以及特定先进半导体制造设备（3B090）等。ECCN编码 4A090，限制特定半导体沉积设备对华出口。

（二）创设特定“美国人”限制，禁止“美国人”（包括美国公民、永久居民、美国公司及其海外分支机构）为特定美国受控物项对中国的转让提供服务或支持。107新规主要对9种“美国人”所可能实施的特定活动进行了具体的限制，限制行为主要集中于两个层面的物项：

1、与先进计算芯片相关的制造、技术和软件（即ECCN 3B090以及与其相关的3D001和3E001物项）。无论在华的最终用户和最终用途如何，“美国人”都不能在未经许可的情况下从事“支持”的行为。

2、与三种特定先进计算芯片相关的物项，即(A)使用非平面结构或"生产"技术节点为16/14纳米或以下的逻辑集成电路；(B)具有128层或更多的NOT-AND（NAND）存储器集成电路；(C)动态随机存取存储器(DRAM)集成电路，使用半间距为18纳米或更小的 "生产 "技术节点。“美国人”也被禁止在未经许可的情况下，从事部分“支持”上述产品开发和生产的行为。

（三）划定对华半导体出口管制三重技术"红线": 

1. 划定4800 TOPS（万亿次操作／秒）算力红线：创设ECCN编码3A090，限制算力阈值达到4800 TOPS的高算力芯片对华出口（如英伟达A100)。

2. 划定14nm制程红线：禁止向中国出口可用于制造14nm及以下逻辑芯片的美国受控物项，如设备、技术及材料等。

3. 划定128层NAND红线：禁止向中国出口可用于生产128层及更多层数的NAND闪存芯片的美国受控物项，如设备、技术、材料等。

（四）首创两项直接产品（FDP）规则：

先进计算FDP规则、超级计算机FDP规则。将限制范围扩展到特定非美国制造物项：将特定外国（例如中国或第三国）制造的先进计算物项和用于超级计算机最终用途的特定外国制造物项纳入美国EAR的直接产品规则管辖范围。修订实体清单直接产品规则，加严在华芯片、集成电路等半导体实体的管制力度。在实体清单中增加脚注4，进一步加强针对性行业管制。

"20231017规则”

针对中国先进计算集成电路、超算、半导体制造设备的升级新规

一、限制领域

2023年10月17日，美国商务部BIS就先进计算芯片、超级计算机和半导体制造设备的相关出口管制发布了两个新的临时最终规则，即：

1. 先进计算物项和超级计算机临时最终规则（AC/S IFR）

2. 半导体制造设备临时最终规则（SME IFR）

以对2022年10月7日所发布的针对中国的半导体出口管制临时最终规则（“10.07 IFR”）进行全面修订补漏。

本次修订扩大了管控范围，加强对芯片制造设备的管控。

二、主要内容

（一）优化先进芯片控制参数，采取性能密度阈值，精准打击AI芯片，封堵英伟达、AMD 等企业通过"降频版"芯片（如A800、H800)绕开管制的路径：

1、调整了3A090的管控参数及物项描述，将AI芯片的管制触发条件从"总算力"指标调整为"总算力"+"性能密度"指标。英伟达受影响的产品：A100、A800、H100、H800、L40、L40S以及RTX 4090。

2、移除"互连带宽"(interconnect bandwidth）指标。

3、通过创设许可例外的形式，对部分消费级芯片对华出口放宽限制。

（二）增加两个新的定义术语，分别是“极紫外线”（EUV）和“先进节点集成电路”（advanced-node ICs），同时上述“先进节点集成电路”替代了107规则中先进制程具体的技术指标和参数。

（三）扩大半导体制造设备管控范围：

1、扩张受控半导体设备物项及参数。1007规则的一个重要动作是新增了一个ECCN 3B090，来专门管控先进芯片制造相关的设备类物项，而本次1017规则将该ECCN删除，将其项下原先所管控的物项分别纳入3B001和3B002中，并对ECCN3B001和3B002作了一定的细化和扩展。BIS还对3B001和3B002两个ECCN的标题均进行了扩充，将“生产半导体制造设备的设备”加入3B001标题，将“检测设备”加入3B002标题， 进一步扩大了该两个ECCN可能覆盖的设备类型。BIS也同步对3D001、3D002、3D003、3E001项下所管控的前述设备类物项相关的软件和技术的描述进行了相应更新。

2、将特定半导体设备许可要求的适用范围从中国和中国澳门扩张至中国（含香港、澳门）＋其它D:5国家（共21个，包括俄罗斯、叙利亚、缅甸等）。

3、对特定先进光刻机设置0％比例规则（即只要含有任何美国受控成分均导致设备受控），强化对先进光刻设备域外流转的管控同时对美国盟友国家放宽限制。BIS将符合3B001.f.1.b.2.b描述的先进光刻设备相关物项在EAR最小比例规则下的受控比例阈值从25%下调至0%。按照本次修订后EAR734.4(a)(3)的规定，未来在美国境外生产的任何物项，如果含有任何美国原产的3B001.f.1.b.2.b项下设备（equipment），且该设备将最终用于“研发”或“生产”“先进节点集成电路（Advanced-Node Integrated Circuits）”，那么该外国制造物项将直接落入EAR管辖，其后续流转均需遵守美国出口管制要求。

（四）扩大先进计算外国直接产品（FDP）规则的适用国家范围

1017规则将先进计算FDP规则的适用地区范围进一步扩大，覆盖所有D:1，D:4和D:5组国家（同时列为A:5或A:6国家组的国家除外）。

（五）新增第三国转运限制，构建"全球封堵网络":

新增先进计算最终用途管控：BIS在EAR744.23项下新增对先进计算最终用途的管控，针对11个ECCN项下的物项，如果出口商在向非D:1、D:4、D:5国家组国家出口时，已知该些物项将用于（for）任何总部或其最终母公司（ultimate parent company）的总部位于中国澳门或任何D:5国家组国家的实体，必须申请许可。即：

1、要求总部或者母公司设立在中国（含香港、澳门）的公司同样遵守限制措施，防止中国公司通过海外子公司／分支机构获取受控芯片。

2、将出口先进芯片的许可证适用范围扩大至中国（含香港、澳门）＋全部D:5国家，并采取推定拒绝的许可审批政策。

（六）进一步扩大对“美国人“活动的限制范围。

BIS通过1017规则进一步对该限制性规定作了系统性完善和扩张，同时通过增加定义和除外情形等说明，帮助相关主体更准确地理解和遵守该规定的要求。

"20241202规则”针对中国特定先进计算物项、超级计算机以及半导体制造设备的出口管制措施的规则修改

一、限制领域

2024年12月2日，美国商务部BIS发布临时最终规则，持续管控半导体制造设备、软件工具和高带宽内存（HBM）：从硬件断供逐步过渡到"生态扼杀"，强化先进设备限制，进一步增加先进存储芯片限制。

二、主要内容

（一）新增两个外国直接产品规则（“FDPR”）和配套最终用户和最终用途管制措施。

1、半导体制造设备外国直接产品规则（“SME FDPR”）

2、实体清单脚注5外国直接产品规则：BIS认为，该等实体正在支持，或者有可能支持中国开发或生产具有重要军事应用的“先进节点集成电路”。

本次修订与先前所有FDPR在生产设施部分的要求均不同的是，本次两个FDPR均进一步将相关受控物项范围拓展至产品的下级供应链，即：只要产品中含有任一满足相关FDPR要求的零件或组件，即使相关零件或组件并非重要部件，也将直接导致整个设备落入FDPR的管控范围内。就此，BIS专门在EAR第734.9节增加相关注释3，对相关规定的适用进行详细阐述。例如，当任何外国生产物项中只要含有集成电路，且生产该集成电路的工具为EAR第734.9节(e)(3)(i)(B)(2)和(k)(1)(ii)(B)项中所列ECCN的受管辖技术和软件的直接产品，则该外国生产物项将整机落入相关FDPR的限制范围中。

（二）算力、存储协同限制，新增对高带宽内存（HBM）限制。

本次BIS新增出口管制分类编码3A090.c，将存储带宽密度大于每平方毫米2GB/秒的HBM纳入管控范围。由于HBM被纳入3A090中进行管制，因此原EAR第734.9(h)节下的先进计算FDPR也将同样适用于HBM，根据BIS的说明，基于先进计算FDPR，目前市场上所有可流通的HBM都应被视为受EAR管辖物项。至于HBM的许可证要求和政策，也在沿用了3A090.a和3A090.b的相关规定的框架下，做出了一系列适应性调整。

（三）修改美国成分占规则（De Minimis）

修改EAR第734.4节“美国成分占比规则”（De minimis U.S. Rule）。针对ECCN 3B993.f.1、半导体制造设备外国直接产品规则（Semiconductor Manufacturing Equipment FDP，SME FDP）以及实体清单脚注5 FDP规则设置了0%的“最低美国成分”占比规则。

（四）修改先进节点DRAM芯片的参数。将“半间距为18nm或更小的DRAM”标准替换为两个不同的标准。

（五）修订及新增半导体制造设备相关管制物项。扩大对生产先进节点集成电路所需的半导体制造设备的出口管制范围，包括特定蚀刻、沉积、光刻、离子注入、检测以及清洁设备。

1、 修订ECCN 3B001、3B002、3B991 、3B992、3D002。

2、新增ECCN 3B993（“特定半导体制造设备”）和3B994（“能够生产先进节点集成电路的半导体制造设备”）。ECCN 3B993主要包括高精度离子注入设备、高纵横比蚀刻设备等；ECCN3B994主要包括低电流和中电流离子注入设备等。

（六）对半导体设备限制措施分而治之，以达到精细化管控的效果：

1、将受控半导体设备分为"专门用于先进节点集成电路生产"的半导体设备与"能够同时用于生产先进与成熟节点集成电路"的半导体设备，对上述两种半导体设备施加不同范围的管控措施。

2、对于"专门用于先进节点集成电路生产"的半导体设备，出口、再出口或国内转让至中国等D:5国家均可能受控。

3、对于"能够同时用于生产先进与成熟节点集成电路"的半导体设备，只有出口给实体清单脚注5实体或其交易相关方才可能受控。

（七）扩大受限的半导体设备和芯片设计软件范围强化对设计软件生态化断供：

1、新增ECCN 3D992（“开发或生产特定半导体制造设备的软件”），管制用于“开发”或“生产”ECCN 3B001项下特定编码所述商品的 “软件”。此外，新增的 3D992.b管制用于先进半导体封装的电子计算机辅助设计（Electronic Computer-aided Design，ECAD）软件，涉及在单个设备中共同封装多个芯片或芯片组。

2、新增ECCN 3D993（“开发或生产特定半导体制造设备（3B993）的软件”），管制用于“开发”或“生产”3B993商品的软件。其中，3D993.b管控使用 多重图案化技术“开发”或“生产”集成电路而设计或修改的“电子计算机辅助设计”（ECAD）“软件”。3D993.c管控计算光刻软件。ECCN 3D993.d管控设计或修改用于提高受控DUV光刻设备生产率的软件。

3、禁止在知晓的情况下将美国受控任何ECAD软件或技术计算机辅助设计（TCAD）软件和技术用于中国先进芯片设计。

（八）新增ECCN 3E992（“开发或生产特定半导体制造设备的技术”）和3E993（“开发或生产特定半导体制造设备（3B993）的技术”），与上述新增的3D992和3D993管控规则相类似。

“20250513新规”针对海外人工智能芯片出口管制指导意见

● 2025年5月13日，美国商务部工业与安全局（BIS）宣布启动废止拜登政府《人工智能扩散规则》，BIS认为该规则严重制约美国科技创新能力，为本土企业增设繁重的监管负担。此外，该规则通过将数十个国家降级为“二类技术合作伙伴”，已对美国与相关国家的外交关系造成实质性损害。

● 美商务部BIS发布了三项加强海外人工智能芯片出口管制的指导意见，进一步收紧全球AI芯片出口管制，精准打击我国AI产业发展：

1. 发布合规指南，警示使用来自中国的先进计算芯片（包括华为昇腾芯片）将被认为违反美国出口管制GP10规则。

2. 发布合规指南，警示在D5国家（含中国）的AI模型训练将被BIS认为存在潜在军事或大规模杀伤性武器用途；即出口、再出口或国内转移美国AI芯片明知会被用于在D5国家（含中国）及澳门的AI模型训练时，将可能违反美国出口管制规则。

3. 向美国企业发布尽职调查及最佳实践指南，说明如何保护供应链免受违规转移至特定国家的影响。